| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
|
|
14.28
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50
|
|
|
58.40
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
|
11 299
|
1.10
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DC COMPONENTS
|
2 065
|
1.92
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
18 053
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
HOTTECH
|
10 657
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YJ
|
97 644
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
XXW
|
5 844
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
16652
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
14632
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
12832
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
|
|
34.00
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
---
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|
|
|
|
КВ139А |
|
|
|
254
|
18.50
|
|
|
|
|
КВ139А |
|
|
ДНЕПР
|
|
|
|