| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200nA @ 7V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 20 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
|
|
1 416.96
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
США
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD9834BRUZ |
|
Цифровой синтезатор сигналов, ЦАП 10 бит, 50МГц, -40..+85°C, TSSOP16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
6.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
280 918
|
1.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
37 645
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 951
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 123 602
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
198 622
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 369
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 897 078
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
663 709
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
160 132
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
76 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
444
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
10 784
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
184 012
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
318 199
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
|
52 802
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
2 492
|
1.55
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
239
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
16
|
1.50
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
27 168
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YJ
|
126 448
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
35 238
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NXP
|
6 551
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
SEMTECH
|
4
|
2.48
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
XXW
|
16 506
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
361
|
154.98
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
420
|
93.86
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
|
MC14049BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC14049BDR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC14049BDR2G |
|
|
|
|
17.96
|
|
|
|
|
MC14049BDR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
784
|
|
|