| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200nA @ 7V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 20 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50
|
|
|
58.40
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
|
52 802
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
2 580
|
1.98
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
239
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
16
|
1.50
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
26 792
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YJ
|
126 868
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
36 200
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NXP
|
6 551
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
SEMTECH
|
4
|
2.57
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
XXW
|
16 936
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
|
CD4001BM96 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BM96 |
|
|
|
4
|
34.02
|
|
|
|
|
CD4001BM96 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BM96 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
671
|
|
|
|
|
CMP401GS |
|
Компаратор, Ind
|
|
|
|
|
|
|
CMP401GS |
|
Компаратор, Ind
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
CMP401GS |
|
Компаратор, Ind
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
CMP401GS |
|
Компаратор, Ind
|
|
|
|
|
|
|
CMP401GS |
|
Компаратор, Ind
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
405
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
56
|
53.20
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
|
3 055
|
44.87
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 236
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
453
|
|
|