SK050M0100B3F-0811

Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%

Электролитический алюминиевый конденсатор
Номинальная емкость 100мкФ
Номинальное напряжение 50В
Точность +-20%

Версия для печати

Технические характеристики SK050M0100B3F-0811

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	50 В
Ток утечки	50 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.1
Максимальный ток пульсаций	230 А
Шаг выводов	3.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 8x11
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	100 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%

SK050M0100B3F-0811 datasheet
2,35MB
82стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	4 964	3.11
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	11 100	2.21
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	31 591	2.06
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	400	3.15
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А		18 683	1.83
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	JY
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	977	3.29
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	16 000	2.55
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
1N5819	Диод Шоттки 40В, 1А	1
L4805CV		ST MICROELECTRONICS
L4805CV			1	74.00
L4805CV		4-7 НЕДЕЛЬ	771
SK050M1000B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
SK050M1000B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	YAGEO
SK050M1000B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK050M1000B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK050M1000B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 50 В
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала		4 342	7.36
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ДНЕПР	10 893	10.50
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ХАБАРОВСК
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НОВОСИБИРСК
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	НЗПП
К176ЛА7	4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала	ХЕРСОН
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 024	31.28
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	804	28.35
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	737	37.80
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 284	37.80
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
КТ815Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

SK050M0100B3F-0811

Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 50В, +-20%

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Конденсаторы

С этим товаром покупают: