|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Емкость | 100 мкФ |
| Ток утечки | 53 мкА |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.12 |
| Максимальный ток пульсаций | 0.169 А |
| Шаг выводов | 5 мм |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 8x11 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| For General | |
| Серия | SH |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP 1000/16V 0820 105C MZ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В | JAMICON |
|
|
|||
| ECAP 1000/16V 0820 105C MZ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В | JAM |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 |
|
140.00 | ||||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ONS |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MBR10100G |
|
Диод Шоттки Vr=100V, Ifav=10A, Ifsm-150A,Vf=0.80 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| RC1206FR-072KL | YAGEO | 3 884 | 1.49 | |||||
| RC1206FR-072KL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206FR-072KL |
|
|
||||||
| RC1206FR-073K3L | YAGEO | 11 965 |
1.94 >100 шт. 0.97 |
|||||
| RC1206FR-073K3L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206FR-073K3L |
|
|
||||||
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема |
|
765.20 | ||
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SK |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | КИТАЙ | 1 | 2 400.96 | |
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|