| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YJ
|
197 990
|
1.03
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGJIE
|
12 856
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
JSCJ
|
83 323
|
1.97
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
1 857
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
50
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
30
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NXP
|
2 096
|
1.49
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
|
4 800
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NXP
|
8 504
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
DIOTEC
|
3 772
|
4.86
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NEX-NXP
|
456
|
6.20
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
HOTTECH
|
25 227
|
1.07
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
YJ
|
89 440
|
2.07
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
KEFAN
|
1 320
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
KEEN SIDE
|
12 996
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
|
BC847CW |
|
|
1650
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 581
|
1.86
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
1 680
|
8.27
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
3
|
7.20
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
SEC
|
|
|
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
|
1
|
20.00
|
|
|
|
|
KSC1008Y |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONS
|
62
|
196.31
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
|
4
|
52.00
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11G |
|
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
|
8 318
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
DC COMPONENTS
|
14 848
|
2.04
|
|
|
