BC847CW
|
|
Версия для печати
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC846AW NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BC847CW
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0402-10КJ | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| 0402-10КJ | BOURNS |
|
|
|||||
 |
EC600X |
|
156.00 | |||||
|
|
EC600X | EPCOS |
|
|
||||
|
|
EC600X | TDK (EPCOS) |
|
|
||||
|
|
EC600X | KEEN SIDE | 1 200 | 12.89 | ||||
| КД210Г2 |
|
|
||||||
| КД210Г2 |
|
|
||||||
| КД210Г2 | СТАРТ |
|
|
|||||
| МЛТ-1-2,2 КОМ-5% | 596 | 11.34 | ||||||
| ЧИП 0402 560K 5% | YAGEO |
|
|
