BC847CW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC847CW	5 440	1.82 >100 шт. 0.91
BC847CW (NXP.)	8 504	3-4 недели Цена по запросу
BC847CW (DIOTEC)	16 324	2.19
BC847CW (NEX-NXP)	480	6.20
BC847CW (HOTTECH)	23 860	1.01
BC847CW (YJ)	191 332	1.78 >100 шт. 0.89
BC847CW (KEFAN)	1 320	1.41 >500 шт. 0.47
BC847CW (NXP/NEXPERIA)	26 784	1.21
BC847CW (KEEN SIDE)	15 804	1.82 >100 шт. 0.91

Версия для печати

Технические характеристики BC847CW

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	200mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC846AW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BC847CW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC847CW datasheet
275.51Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	OSRAM OPTO
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт		800	59.98
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	VISHAY	1	25.66
BPW41N	ИК-фотодиод 950nm, 2 контакта, 60В,100нс, 215 мВт	Vishay/Semiconductors
TDA7050N3		ST MICROELECTRONICS
К500ЛП116				67.20
К500ТМ131			18	38.85
ФТ-2К ГР.Б			1 856	53.00
ФТ-2К ГР.Б		2355