| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
IRF7220PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный 14V 11A 2,5W 0,012R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7220PBF |
|
Полевой транзистор P-канальный 14V 11A 2,5W 0,012R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF6775MTR1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
 |
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
|
|
55.44
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFD9120 |
|
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
SILICONIX
|
380
|
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP04N80C3 |
|
Транзистор
|
|
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
|
|
97.40
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQPF5N60 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
604
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
ONSEMI
|
2
|
4.24
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
|
|
TECH PUB
|
7 549
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
1 015
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
582 855
|
2.07
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
26 730
|
2.37
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
24 672
|
2.96
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
283
|
2.82
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
11 176
|
1.98
|
|
|
|
|
FQD1N50TM |
|
|
|
|
56.00
|
|
|
|
|
FQD1N50TM |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
