IRFD9120
Транзистор полевой P-MOS 100V, 1A, 1W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD9120 Power Mosfet (vdss=-100v, Rds (on) =0.60ohm, Id=-1.0a)
Производитель:
|
