| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF6641TR1PBF |
|
Транзистор N-канальный 200V 26A 89W 0,0599R MZ
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF6641TR1PBF |
|
Транзистор N-канальный 200V 26A 89W 0,0599R MZ
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFL024N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFL024N |
|
Транзистор полевой
|
|
|
50.60
|
|
|
|
|
IRFL024N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFL024N |
|
Транзистор полевой
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IRFL024N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP4468PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP4468PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ ...
|
|
872
|
172.43
|
|
|
|
|
IRFP4468PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP4468PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ ...
|
INFINEON
|
376
|
165.31
|
|
|
|
|
IRFP4468PBF |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=195ARds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6.7A, 190W, 1.6R)
|
VISHAY
|
203
|
340.96
|
|
|
|
|
IRFPF50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6.7A, 190W, 1.6R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFPF50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (900V, 6.7A, 190W, 1.6R)
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ34S |
|
Hexfet® power mosfet
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ34S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRLR3915TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLR3915TR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IXFK120N20 |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IXFK120N20 |
|
|
IXYS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
IXFK120N20 |
|
|
|
16
|
|
|
|
|
|
IXFK80N20Q |
|
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
MTP2P50E |
|
Power mosfet 2 amps, 500 volts p?channel to?220
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MTP2P50E |
|
Power mosfet 2 amps, 500 volts p?channel to?220
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NDB6060L |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
NDB6060L |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
NDB6060L |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
NDB6060L |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
PHP20N06T |
|
N-channel trenchmos (tm) transistor
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PHP20N06T |
|
N-channel trenchmos (tm) transistor
|
NXP
|
608
|
|
|
|
|
|
PHP34NQ11T |
|
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PHP34NQ11T |
|
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN009-100B |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN009-100B |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN009-100B |
|
N-канальный полевой транзистор
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP07N60C3 |
|
Полевой транзистор 7.3A, 600В, 0.60Ом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP07N60C3 |
|
Полевой транзистор 7.3A, 600В, 0.60Ом
|
|
|
246.72
|
|
|
|
|
SPP07N60C3 |
|
Полевой транзистор 7.3A, 600В, 0.60Ом
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
