IRFL024N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFL024N		50.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFL024N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFL024N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=55V, Rds (on) =0.075ohm, Id=2.8A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFL024N datasheet
112.27Kb
8стр.