Версия для печати
Технические характеристики IRFL024N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

IRFL024N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=55V, Rds (on) =0.075ohm, Id=2.8A) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFL024N datasheet 112.27Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1000МКФ 10В 105° CD263 (8Х14) КОНДЕНСАТОР ELZET
		150МКФ 400В 105° CD294 (22X50) КОНДЕНСАТОР ELZET
		CPC1008N		Реле	CPC
		CPC1008N		Реле	CLARE
		CPC1008N		Реле			86.44
		CPC1008N		Реле	CLARE
		CPC1008N		Реле	IXYS
		CPC1008N		Реле	CLR
		CPC1008N		Реле	LITTELFUSE
		CPC1008N		Реле	LTL
		CPC1008N		Реле	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	DIODES
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS			6.00
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	WTE
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	GALAXY
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	КИТАЙ
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	TSC
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	REC
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	YJ	7 616	2.46
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	GALAXY ME
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	SUNTAN	2 400	2.18
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	YANGJIE
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	YANGJIE (YJ)
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	HOTTECH
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	ASEMI	52	1.69
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	40	1.67
		HER106		Диод 600V, 1A, 70nS	YANGZHOU YANGJIE
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	144	37.80
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		153	27.75
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	МАЛАЙЗИЯ
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD	607	33.86
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	625
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	HTC	3 416	22.28

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"