| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N5819-T |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICROSEMI CORP
|
3 122
|
|
|
|
|
|
1N5819-TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819-TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N5819-TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819-TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
1N5819G |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819G |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5819G |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
118
|
|
|
|
|
|
1N5819G |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
|
|
|
|
|
|
1N5819G |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
|
14.00
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 830
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 888
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
|
|
|
|
|
|
1N5819T/B |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N5819TR |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
1N5819TR |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
10 850
|
1.41
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.86
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
34 470
|
1.20
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
21 360
|
1.15
|
|
|
|
|
40EPS08PBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
40EPS08PBF |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
DC COMPONENTS
|
3 966
|
8.85
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
|
|
16.00
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
DIOTEC
|
2 268
|
19.09
|
|
|
|
|
UF5404 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 3A DO201AD
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 826
|
9.73
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
8 978
|
|
|
|
|
|
BAT46JFILM |
|
|
|
|
|
|
|
