|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-79, SOD-523F |
| Корпус | SOD-523F |
|
1N4148W (Переключающие диоды) Surface Mount Fast Switching Diode Также в этом файле: 1N4148W-T1, 1N4148W-T3
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 1 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| BPV11F |
|
Фототранзистор инфракрачный |
|
180.00 | ||||
| BPV11F |
|
Фототранзистор инфракрачный | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||
| BPV11F |
|
Фототранзистор инфракрачный | VISHAY |
|
|
|||
| Д816А |
|
металл | 7 659 | 41.58 | ||||
| Д816А |
|
металл | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|||
| Д816А |
|
металл | НОВОСИБИРСК | 988 | 31.50 | |||
| Д816А |
|
металл | RUS |
|
|
|||
| Д816А |
|
металл | НЗПП | 96 | 42.36 | |||
| Д816А |
|
металл | НЭВЗ | 80 | 56.83 | |||
| Д816А |
|
металл | СЗТП | 44 | 71.82 | |||
| Д816А |
|
металл | 7200 |
|
|
|||
| Д816А |
|
металл | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|||
| К10-17-1Б-Н50-0,22 МКФ | 28 | 37.00 | ||||||
| МЛТ - 1 ВТ 1.1 МОМ 5% | 704 | 3.36 |