| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFRED® |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
| Корпус | TO-220AC |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
|
|
1 140.00
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
|
14.00
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 830
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
75.60
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
1
|
94.50
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
315
|
26.28
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
7 783
|
15.98
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 493
|
40.51
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
3
|
128.52
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
60
|
|
|
|
|
|
СП3-30В-0.125-470 КОМ 30% В |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
