Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFRED® |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
Корпус | TO-220AC |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
|
7 342
|
4.96
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DC COMPONENTS
|
16 656
|
5.29
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MIC
|
2 400
|
15.10
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MASTERCHIP
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YJ
|
54 087
|
7.80
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY ME
|
53
|
6.32
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
SUNTAN
|
4 126
|
8.79
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE
|
19 200
|
7.27
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
1
|
|
|
|
|
|
JNR10S080L |
|
Нелинейный терморезистор
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
JNR10S080L |
|
Нелинейный терморезистор
|
|
|
12.40
|
|
|
|
JNR10S080L |
|
Нелинейный терморезистор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR10S080L |
|
Нелинейный терморезистор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR10S080L |
|
Нелинейный терморезистор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 50A 1000V (MB5010) |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
|
1 907
|
86.70
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
28.35
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
FAIRCHILD
|
4
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
MOTOROLA
|
10
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
22
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS
|
1 302
|
29.84
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
|
4
|
19.00
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
HGSEMI
|
2 097
|
6.67
|
|
|
|
LM339N |
|
Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
585
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
|
1 183
|
35.15
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
84
|
45.36
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
112
|
21.00
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УРЛЗ
|
8
|
26.46
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
РОССИЯ
|
27
|
65.85
|
|