FGH40N60SFDTU


Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop

Купить FGH40N60SFDTU по цене 512.40 руб.  (без НДС 20%)
FGH40N60SFDTU  Биполярный транзистор с изолированным...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
FGH40N60SFDTU 1 512.40 
FGH40N60SFDTU (ONS) 1 312 233.51 
FGH40N60SFDTU (ONS-FAIR) 1 040 163.76 

Биполярный транзистор с изолированным затвором 
Напряжение сток / исток 600В
Ток стока 40А ( 80А при 25оС, 120А пиковый)
Мощность рассеиваемая 290Вт
Диапазон температур   - 55 ...150оС

 

Версия для печати

Технические характеристики FGH40N60SFDTU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
IGBT TypeField Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 40A
Current - Collector (Ic) (Max)80A
Power - Max290W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop

FGH40N60SFDTU datasheet
806,08kB
9стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SK2837 Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK2837 Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W     1 378.00 
2SK2837 Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт     7 147.60 
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   ONS 416 77.83 
FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт   ONS-FAIR 516 34.82 
IRFD110 Транзистор полевой   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFD110 Транзистор полевой   VISHAY 1 484 12.33 
IRFD110 Транзистор полевой     1 64.80 
IRFD110 Транзистор полевой   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFD110 Транзистор полевой   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFD110 Транзистор полевой   SILICONIX 30 цена радиодетали
    STTH3003CW     ST MICROELECTRONICS 242 154.73 
    STTH3003CW       2 210.00 
    STTH3003CW     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     STMICROELECTR 16 186.96 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRONICS 609 14.79 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8     40 25.13 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход