IRFD110


Транзистор полевой

Купить IRFD110 по цене 11.52 руб.  (без НДС 20%)
IRFD110  Структура   N-канал Максимальное напряжение...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRFD110 (VISHAY) 2 809 11.52 
IRFD110 (SILICONIX.) 32 3-4 недели
Цена по запросу

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В 800
Корпус DIP4
Пороговое напряжение на затворе 4

Версия для печати

Технические характеристики IRFD110

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs540 mOhm @ 600mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds180pF @ 25V
Power - Max1.3W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус4-DIP, Hexdip, HVMDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFD110

Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.54ohm, Id=1.0a)

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

IRFD110 datasheet
177.88Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BYG20J Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYG20J Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс     Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYS10-45 Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYS10-45 Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC     Заказ радиодеталей цена радиодетали
BYS10-45 Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
G30N60A4 Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
G30N60A4 Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.     Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт     Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS 387 214.35 
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS-FAIR 88 192.65 
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   ONS 1 396 25.14 
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A     Заказ радиодеталей цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   ON SEMICONDUCTOR 82 цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   YJ 1 216 20.11 
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MUR860G Ультрабыстрый диод 600V 8A   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход