Версия для печати
Технические характеристики STTH3003CW

Current - Reverse Leakage @ Vr	40µA @ 300V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 15A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	15A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	300V
Reverse Recovery Time (trr)	40ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop			936.00
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC	1	283.38
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	624	384.73
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			Fairchild Semiconductor
		FGH60N60SMD			FSC
		FGH60N60SMD				206	542.21
		FGH60N60SMD			FAIR
		FGH60N60SMD			FAIRCHILD
		FGH60N60SMD			ONS	46	659.28
		FGH60N60SMD			ONS-FAIR
		FGH60N60SMD			ON SEMICONDUCTOR
		FGH60N60SMD			ONSEMI	2	504.55
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR
		IRFPE40		Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPE40		Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А	VISHAY
		IRFPE40		Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А			187.36
		IRFPE40		Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPE40		Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А	Vishay/Siliconix
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	168	76.70
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		1	92.40
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"