IRFD110

Транзистор полевой

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFD110 (VISHAY)	2 745	12.86
IRFD110 (SILICONIX.)	34	3-4 недели Цена по запросу

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В 800
Корпус DIP4
Пороговое напряжение на затворе 4

Версия для печати

Технические характеристики IRFD110

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 600mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFD110

Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.54ohm, Id=1.0a)

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

IRFD110 datasheet
177.88Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYS10-45	Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC	NXP
BYS10-45	Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC
BYS10-45	Диод выпрямит. Шоттки 45В 1,5A DO214AC	VISHAY
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS	387	216.96
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR	88	208.44
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	1 380	25.25
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	86
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ	920	20.19
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
MUR860G	Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	DC COMPONENTS	6 948	3.19
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	PHILIPS
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	SMK
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	GENERAL SEMICONDUCTOR
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	DIOTEC	172	3.78
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	GALAXY
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	GENERAL SEMICONDUCTOR
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	PHILIPS	74
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	КИТАЙ
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	KINGTRON	1 120	1.62
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	YJ	83 416	1.45
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	GALAXY ME	1	5.36
US1J	Диод выпрямительный быстрый 600В, 10A	HOTTECH	16 000	1.96 >100 шт. 0.98

IRFD110

Транзистор полевой

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: