FQP4N90C


N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Купить FQP4N90C по цене 25.37 руб.  (без НДС 20%)
FQP4N90C  N-канальный тарнзистор MOSFET Напряжение сток/...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
FQP4N90C (ONS-FAIR) 896 25.37 
FQP4N90C (ONS) 704 58.96 

N-канальный тарнзистор MOSFET
Напряжение сток/ исток  900В
Ток стока  4А
Мощность рассеиваемая  140Вт
Максимальная температура перехода   150оС 

Версия для печати

Технические характеристики FQP4N90C

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds960pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
Product Change NotificationDesign/Process Change Notification 26/June/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP4N90C (MOSFET)

N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP4N90C datasheet
1,29MB
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR 839 165.86 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 1 591 194.61 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR 112 177.12 
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт     Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONS 896 249.14 
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONS-FAIR 369 144.57 
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIR/ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONSEMICONDUCTOR 52 226.32 
    STTH3003CW     ST MICROELECTRONICS 1 187 81.97 
    STTH3003CW       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRONICS 3 776 12.20 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8     120 25.13 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRONICS 4 527 4.27 
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.     Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRONICS SEMI 32 цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   STMICROELECTR 22 16.73 
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход