FQP4N90C


N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Купить FQP4N90C по цене 147.60 руб.  (без НДС 20%)
FQP4N90C  N-канальный тарнзистор MOSFET Напряжение сток/...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
FQP4N90C 7 147.60 
FQP4N90C (ONS-FAIR) 516 34.82 
FQP4N90C (ONS) 416 77.83 

N-канальный тарнзистор MOSFET
Напряжение сток/ исток  900В
Ток стока  4А
Мощность рассеиваемая  140Вт
Максимальная температура перехода   150оС 

Версия для печати

Технические характеристики FQP4N90C

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds960pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
Product Change NotificationDesign/Process Change Notification 26/June/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP4N90C (MOSFET)

N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP4N90C datasheet
1,29MB
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     1 512.40 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR 1 040 163.76 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 1 312 233.51 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт     Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONS 571 260.90 
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONS-FAIR 432 188.07 
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   FAIR/ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SMD Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     ST MICROELECTRONICS 242 154.73 
    STTH3003CW       2 210.00 
    STTH3003CW     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    STTH3003CW     STMICROELECTR 16 186.96 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRONICS 609 14.79 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8     40 25.13 
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3842BN ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRONICS 6 039 14.50 
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.     1 46.80 
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRONICS SEMI 26 цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
UC3843BN ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход