NTCS0805E3103JMT


Купить NTCS0805E3103JMT по цене 110.80 руб.  (без НДС 20%)
NTCS0805E3103JMT THERMISTOR NTC 10K OHM 0805 SMD
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NTCS0805E3103JMT цена радиодетали 110.80 
NTCS0805E3103JMT (VISHAY.) 2 064 3-4 недели
Цена по запросу

THERMISTOR NTC 10K OHM 0805 SMD
Версия для печати

Технические характеристики NTCS0805E3103JMT

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Other Related DocumentsUL Certificate of Compliance
Серия2381
Resistance in Ohms @ 25°C10K
Resistance Tolerance±5%
B Value Tolerance±1%
B25/853570K
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Power - Max210mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)0805 (2012 Metric)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTCS0805E3103JMT datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS 2 184 102.00 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)     Заказ радиодеталей 460.12 
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  3224W-1-102E Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)   BOCHEN 1 131.09 
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   MURATA 10 640 7.30 
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A     4 18.00 
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   MUR 76 930 6.83 
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   MURATA 85 564 цена радиодетали
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   ЯПОНИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BLM31PG601SN1L Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A   MURATA* Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BLM41PG102SN1L Дроссель подавления ЭМП 1806   MURATA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BLM41PG102SN1L Дроссель подавления ЭМП 1806     8 32.80 
  BLM41PG102SN1L Дроссель подавления ЭМП 1806   MUR 25 012 9.78 
  BLM41PG102SN1L Дроссель подавления ЭМП 1806   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONS 41 6.20 
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTOR 160 цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA42LT1G Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.     22 816 2.66 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 4 581 1.79 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONS 1 680 8.27 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)     3 7.20 
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 1 003 цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MMBTA92LT1G Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход