![]() |
|
Корпус | SMD-8B |
Корпус (размер) | 8-SMD Gull Wing, 7 Leads |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Мощность (Ватт) | 28W |
Напряжение выходное | 700V |
Частотный диапозон | 66 ~ 132kHz |
Изоляция выхода | Isolated |
Серия | TOPSwitch®-GX |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
![]() |
![]() |
|||||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 367 | 7.35 | |||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONS | 11 908 | 6.53 | |||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 |
![]() |
![]() |
||||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
![]() |
|||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONSEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||
BSS123LT1G |
![]() |
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | LRC |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
IR1155STRPBF |
![]() |
International Rectifier |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IR1155STRPBF |
![]() |
INFINEON | 657 | 765.57 | ||
![]() |
![]() |
IR1155STRPBF |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
IR1155STRPBF |
![]() |
4-7 НЕДЕЛЬ | 202 |
![]() |
||
MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
MBRS3200T3G | VISHAY |
![]() |
![]() |
|||||
MBRS3200T3G | ONS |
![]() |
![]() |
|||||
MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
![]() |
|||||
MBRS3200T3G | TOKMAS | 5 500 | 5.93 | |||||
MBRS3200T3G | FUXIN | 7 721 | 5.71 | |||||
MBRS3200T3G | ONSEMI |
![]() |
![]() |
|||||
STF23NM50N | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|||||
STF23NM50N |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|