MC33152DG
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 55ns |
| Ток пиковое значение | 1.5A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 6.5 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
| 2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
|
|
|||||
 |
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА |
|
6.00 | ||
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
BZV55C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА | HOTTECH | 7 031 |
1.52 >100 шт. 0.76 |
|
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A | VISHAY |
|
|
|||
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A |
|
|
||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 512 | 5.50 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 12 447 | 5.01 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
