MC33152DG
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 55ns |
| Ток пиковое значение | 1.5A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 6.5 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
1N5408-E3/54 |
|
Выпрямительный диод (Vr=1000V, I=3A, If=200A, Vf=1.2V@I=3A, -55 to +150C) | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A | VISHAY |
|
|
|||
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A |
|
|
||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 552 | 4.50 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 307 | 3.96 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| SBR2512: 3-ФАЗНЫЙ ДИОДНЫЙ МОСТ (25А,1200В) |
|
|
||||||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | INFINEON |
|
|
|||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | 120 |
|
||||
| SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | 120 |
|
