Версия для печати
Технические характеристики SN74ALS03BD

Корпус	14-SOIC
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Ток выходной макс., мин.	8mA, 8mA
Число каналов	4
Число входов	2
Логический тип	NAND Gate
Серия	74ALS
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

SN74ALS03B (Буферы 2-State) QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS Также в этом файле: SN74ALS03BD Производитель: Texas Instruments //www.ti.com SN74ALS03BD datasheet 72.38Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	FAIR
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS			144.00
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	JOYVIRT
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	PMC
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST1
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR
		GS1G			PANJIT
		GS1G			DC COMPONENTS	410 050	1.27
		GS1G				7 840	1.18
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		GS1G			OTHER
		GS1G			PANJIT
		GS1G			MICROSEMI CORP
		GS1G			YT
		GS1G			HOTTECH
		GS1G			YANGJIE	20 000	1.18
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	КРИСТАЛЛ
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА		1	166.50
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	УЛЬЯНОВСК	468	357.00
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	ИСКРА
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	RUS
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	НПП УРЛЗ	64	599.26

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"