NCP1203P100G
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение выходное | 500V |
| Напряжение входное | 8.4 V ~ 16 V |
| Частотный диапозон | 90 ~ 115kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5KE130CARL4 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| 1.5KE130CARL4 | MOTOROLA |
|
|
|||||
 |
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | DC COMPONENTS | 436 794 | 1.55 | ||||
|
|
GS1G | 7 920 | 1.27 | |||||
|
|
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||||
|
|
GS1G | OTHER |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | MICROSEMI CORP |
|
|
||||
|
|
GS1G | YT |
|
|
||||
|
|
GS1G | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
GS1G | YANGJIE | 20 000 | 1.25 | ||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
| UCC2894DR |
|
292.00 | ||||||
| UCC2894DR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| UCC2894DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 300 |
|
