HGT1S20N60C3S
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
| Power - Max | 164W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | DC COMPONENTS | 266 758 |
1.92 >100 шт. 0.96 |
||||
|
|
GS1G | 7 200 | 1.10 | |||||
|
|
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||||
|
|
GS1G | OTHER |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | MICROSEMI CORP |
|
|
||||
|
|
GS1G | YT |
|
|
||||
|
|
GS1G | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
GS1G | YANGJIE | 20 000 | 1.12 | ||||
|
|
GS1G | TRR | 1 600 |
1.14 >500 шт. 0.38 |
||||
| SI9114ADY | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI9114ADY | VISHAY |
|
|
|||||
| SI9114ADY |
|
884.00 | ||||||
| SI9114ADY | SILICONIX | 2 |
|
|||||
| STP8NA50 | SGS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | SGS THOMSON |
|
|
|||||
| UCC2894DR |
|
292.00 | ||||||
| UCC2894DR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| UCC2894DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 300 |
|
|||||
| КР1554КП7 | ЗПП |
|
|
|||||
| КР1554КП7 |
|
47.40 |
