Версия для печати
Технические характеристики CPC1018N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CPC, OptoMOS®
Каналы	SPST-NO (1 Form A)
Тип выхода	AC, DC
Output Type	AC, DC
Сопротивление (On-State)	800 mOhm
Load Current	600mA
Напряжение входное	1.2VDC
Напряжение нагрузки	0 ~ 60 V
Тип монтажа	Поверхностный
Termination Style	Gull Wing
Корпус (размер)	4-SMD Gull Wing
Корпус	4-SOP (2.54mm)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	1 036	1.86
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	400	5.47
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	39 985	1.64
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)		95 948	1.32  >100 шт.   0.66
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WTE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIOTEC	96 100	1.21
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD	14 586
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP	9 216
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PHILIPS	626
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	DIODES INC.	1 126
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	КИТАЙ	80	1.50
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	UTC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	MCC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NEXPERIA	1 291	1.22  >100 шт.   0.61
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	GALAXY ME
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	LRC
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HOTTECH	40 464	1.48  >100 шт.   0.74
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KLS
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	PANJIT
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SEMTECH	5	2.47
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	SUNTAN
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YJ	156 616	1.99
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGJIE	96 000	1.20
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YOUTAI	57 844	1.56
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	JSCJ	84 941	3.71
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ASEMI	62	1.42  >100 шт.   0.71
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	KEEN SIDE	8 796	1.54  >100 шт.   0.77
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	NXP(PHILIPS)
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	ZITEK	16 800	1.49
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	1296
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	21000
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	HEXPERIA
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	1231
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	5891
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	RUME	36 000	1.20  >100 шт.   0.60
		BAT54A		2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)	TRR	108 000	1.32  >100 шт.   0.66
		BLM21BD601SN1D		Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C	MURATA	27	1.66  >100 шт.   0.83
		BLM21BD601SN1D		Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C			6.44
		BLM21BD601SN1D		Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C	Murata Electronics North America
		BLM21BD601SN1D		Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C	MUR	69 858	10.12
		BLM21BD601SN1D		Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C	MURATA*
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	2 660	12.40
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		328	7.36
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	192	4.13
		MBR140SFT1G			ONS
		MBR140SFT1G			ON SEMICONDUCTOR
		MBR140SFT1G			ON SEMICONDUCTOR	78
		MBR140SFT1G
		MBR140SFT1G			ONSEMICONDUCTOR
		NFM18PS105R0J3D			MURATA	99	8.27
		NFM18PS105R0J3D			MURATA
		NFM18PS105R0J3D			Murata Electronics North America
		NFM18PS105R0J3D			MUR	11 131	4.96
		NFM18PS105R0J3D

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"