BC858ALT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82559A9153A020, 15 МКГН, 15.3 А | EPCOS |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 99 | 7.23 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 35 256 | 4.64 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
51.48 | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | 2 377 | 30.11 | |||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ONS |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 834 |
|
|||||
| TLV431ASNT1G |
|
|
||||||
| TLV431ASNT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 283 |
|
|||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY | 36 156 | 50.63 | |||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | 6 080 | 17.31 | ||||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY IR | 1 | 122.74 |
