NCP1216D100R2G


Купить NCP1216D100R2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NCP1216D100R2G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NCP1216D100R2G (4-7 НЕДЕЛЬ) 272 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NCP1216D100R2G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Изоляция выходаIsolated
Частотный диапозон90 ~ 110kHz
Напряжение входное10 V ~ 16 V
Рабочая температура0°C ~ 150°C
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SK2843 Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)   TOSHIBA 9 170.10 
2SK2843 Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)     1 437.22 
2SK2843 Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A)   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BC807-40/T1 Транзистор биполярный SMD     Заказ радиодеталей 2.52 
    BC807-40/T1 Транзистор биполярный SMD   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BC807-40/T1 Транзистор биполярный SMD   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BYS10-45-E3/TR3     VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BYS10-45-E3/TR3     Vishay/General Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BYS10-45-E3/TR3     VISHAY 32 цена радиодетали
    BYS10-45-E3/TR3       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  HER108 (1A 1000V)       Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW12NK80Z N-MOS 800V, 10.5A, 190W   ST MICROELECTRONICS 20 335.85 
STW12NK80Z N-MOS 800V, 10.5A, 190W   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW12NK80Z N-MOS 800V, 10.5A, 190W   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STW12NK80Z N-MOS 800V, 10.5A, 190W     Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход