IRLR2905TRPBF
N-канальный ПТ, VDS,В =55V, ID =42A, Ptot,Вт =110W
|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV99W (0.2A 80V) |
|
|
||||||
| BYS10-45-E3/TR3 | VISHAY |
|
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 | VISHAY | 32 |
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 |
|
|
||||||
 |
LM293DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM293DR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM293DR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM293DR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
LM293DR | 3 816 | 10.14 | |||||
|
|
LM293DR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM293DR | UMW | 960 | 10.33 | ||||
|
|
LM293DR | YOUTAI | 2 810 | 8.70 | ||||
|
|
LM293DR | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
||||
| PBD 80R (ШАГ 2.54 ММ) | 64 | 46.25 | ||||||
| RES 0805 2K2 5% | YAGEO |
|
|
