Версия для печати
Технические характеристики MCP23016-I/SO

Includes	POR
Корпус	28-SOIC
Корпус (размер)	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2 V ~ 5.5 V
Частота - Тактовый генератор	400kHz
Interrupt Output	Да
Число вводов/выводов	16
Интерфейс подключения	I²C
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

MCP23016 (Обработка сигналов) 16-Bit I2CTM I / O Expander Также в этом файле: MCP23016-I/SO Производитель: Microchip Technology //www.microchip.com MCP23016-I/SO datasheet 773.03Kb 38стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Расширители ввода / вывода (I/O Expanders)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10МКФ 35 (4X7)105°C
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAI/QTC
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	SIEMENS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE-ON	14	13.09
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FSC
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIR
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LIT	2 600	10.77
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	AVAGO
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	VISHAY
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIRCHILD
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	FAIRCHILD
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Lite-On Inc
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Vishay/Semiconductors
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Fairchild Optoelectronics Group
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	Avago Technologies US Inc
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVLT
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVERLIGH
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	EVERLIGHT	324	13.42
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA		83	40.32
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	CT-MICRO	7 100	9.29
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	0.00
		4N25		Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA	1
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	8.59
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	15 634	1.62  >100 шт.   0.81
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	885 118	1.70  >100 шт.   0.85
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS INSTRUMENTS
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN			54.56
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS INSTRUMENTS	8
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	TEXAS
		TLC272ID		2xOP CMOS 3.16V LP LN	4-7 НЕДЕЛЬ	678

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"