|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 664
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
21 655
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 155
|
3.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
301 128
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
37 325
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.66
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
6 165
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
119 048
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
21 600
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
215 284
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
ECAP 330/25V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25 В
|
|
|
8.00
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MCP23016-I/SO |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP23016-I/SO |
|
|
|
|
254.00
|
|
|
|
MCP23016-I/SO |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP23016-I/SO |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP23016-I/SO |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
164
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
|
|
26.12
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
21 421
|
16.80
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
276
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UA741CD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
745
|
|
|