MC34074DR2G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC34074DR2G		105.20
MC34074DR2G (4-7 НЕДЕЛЬ)	324	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MC34074DR2G

Корпус	14-SOIC
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 44 V, ±1.5 V ~ 22 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	1.9mA
Напряжение входного смещения	1000µV
Ток - входного смещения	100nA
Полоса пропускания	4.5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	13 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MC34074

Single Supply 3.0V to 44V Operational Amplifiers

Также в этом файле: MC34074DR2G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MC34074DR2G datasheet
268.98Kb
22стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1SS355TE-17		ROHM	5 582	1.60 >100 шт. 0.80
1SS355TE-17		ROHM	1 752
1SS355TE-17			7 200	5.55
1SS355TE-17		Rohm Semiconductor
1UF X 400V (CL21)		КИТАЙ
1UF X 400V (CL21)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1UF X 400V (CL21)		KLS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W			103.20
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
MJE18006	NPN 1000V, 6A, 40W	ON SEMICONDUCTOR
MJE18006	NPN 1000V, 6A, 40W	ONS
MJE18006	NPN 1000V, 6A, 40W
STTH1R06A	Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс	ST MICROELECTRONICS
STTH1R06A	Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс	STMicroelectronics
STTH1R06A	Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
STTH1R06A	Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс		2 560	6.90
STTH1R06A	Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс	STMICROELECTR