| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 5A, 3V |
| Power - Max | 80W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
|
103.20
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
680
|
38.23
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
|
1 920
|
6.90
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
|
|
443.80
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON
|
44
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
TLE6220GP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
368
|
|
|