ICE3B0365J
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CoolSET®F3 |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 58 ~ 76kHz |
| Напряжение входное | 10.3 V ~ 27 V |
| Напряжение выходное | 650V |
| Мощность (Ватт) | 22W |
| Рабочая температура | -25°C ~ 130°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | PG-DIP-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 0.2 ОМ 1% | YAGEO |
|
|
|||||
| 2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W |
|
230.00 | ||||
| 2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W | TOS |
|
|
|||
| 2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
| B66308-A1108-T1 |
|
71.32 | ||||||
| B66308-A1108-T1 | EPCOS |
|
|
|||||
 |
NCP1377DR2 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
NCP1377DR2 | ONS |
|
|
||||
|
|
NCP1377DR2 |
|
|
|||||
| TNY268G |
|
108.00 | ||||||
| TNY268G | PI |
|
|
|||||
| TNY268G | POWER INTEGRATIONS |
|
|
|||||
| TNY268G | POWER INTEGRATIONS | 36 |
|
|||||
| TNY268G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 327 |
|
