|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-DIP-8 |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Рабочая температура | -25°C ~ 130°C |
| Мощность (Ватт) | 25W |
| Напряжение выходное | 650V |
| Напряжение входное | 8.5 V ~ 22 V |
| Частотный диапозон | 92 ~ 108kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Серия | CoolSET®F3 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 0.2 ОМ 1% | YAGEO |
|
|
|||||
| B66308-A1108-T1 |
|
71.32 | ||||||
| B66308-A1108-T1 | EPCOS |
|
|
|||||
| B66308-J1108-T1 |
|
60.00 | ||||||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | INFINEON |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 2 | 226.80 | ||||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 1 |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 4-7 НЕДЕЛЬ | 134 |
|
|||
| СВЕРЛО 0.6 ММ |
|
45.20 |