ТЧ80-9
|
|
Версия для печати
| Импульсное прямое в открытом сост напряж. / ток VTM/ITM | 2,60/30 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 0,18 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZX55-C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA | DC COMPONENTS | 29 016 |
1.30 >100 шт. 0.65 |
|
|
|
|
BZX55-C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZX55-C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA |
|
|
||
|
|
|
BZX55-C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZX55-C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA | KEEN SIDE | 7 994 |
1.14 >100 шт. 0.57 |
|
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | INFINEON |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 2 | 226.80 | ||||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 1 |
|
|
|||
| ICE3B0365J |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W | 4-7 НЕДЕЛЬ | 134 |
|
|||
| UTC386L |
|
|
||||||
| UTC386L |
|
|
||||||
| UTC386L | 4-7 НЕДЕЛЬ | 75 |
|
|||||
| КГСМ-27-200-1 |
|
5 200.00 | ||||||
| КН102В | 889 | 45.29 | ||||||
| КН102В | ТОМИЛИНО |
|
|
