FSQ510
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 94.3 ~ 132kHz |
| Напряжение входное | 6.7 V ~ 20 V |
| Напряжение выходное | 700V |
| Мощность (Ватт) | 9W |
| Рабочая температура | -40°C ~ 130°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads |
| Корпус | 7DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAN7529M | FAIR |
|
|
|||||
| FAN7529M | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FAN7529M | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FAN7529M | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FAN7529M |
|
|
||||||
| FAN7529M | FSC1 |
|
|
|||||
| FAN7529M |
|
|
||||||
| FAN7529M | FSC |
|
|
|||||
| FAN7529M | ONS |
|
|
|||||
| FAN7529M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 430 |
|
|||||
 |
 |
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet |
|
133.56 | ||
|
|
|
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|
|
|
|
FQP6N80C |
|
800v n-channel mosfet | ONS |
|
|
|
 |
|
ICE3BR1765J |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 729 |
|
||
 |
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт | INFINEON | 160 | 475.27 | |
|
|
|
IRGP4068DPBF |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт |
|
|
||
| NCP1607BDR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1607BDR2G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1607BDR2G | 1 | 166.32 | ||||||
| NCP1607BDR2G | 1 |
|
|
