ICE1HS01G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ICE1HS01G (4-7 НЕДЕЛЬ)	472	3-4 недели Цена по запросу

IC CTRLR RESONATE MODE DSO8

Версия для печати

Технические характеристики ICE1HS01G

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ICE1HS01G datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FA5591N		FUJ	83	168.29
FA5591N
FA5591N		1
FA5591N		4-7 НЕДЕЛЬ	554
FFPF06U40DN		FAIR
FFPF06U40DN				128.00
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...			520.00
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	STMicroelectronics
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
L6599D	Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	4-7 НЕДЕЛЬ	252
SMCJ188A-E3/57T		VISHAY
SMCJ188A-E3/57T		Vishay/General Semiconductor
SMCJ188A-E3/57T
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
SPP11N60C3	Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH