Версия для печати
Технические характеристики ICE1HS01G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	50 ~ 128kHz
Напряжение входное	10.2 V ~ 20.5 V
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	PG-DSO-8

ICE1HS01G datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FA5591N			FUJ
		FA5591N
		FA5591N			1
		FA5591N			4-7 НЕДЕЛЬ	301
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...			520.00
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	STMicroelectronics
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	4-7 НЕДЕЛЬ	721
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ON SEMICONDUCTOR	52	27.33
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA			19.48
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	UTC
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	OTHER	83
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	ONS
		MCR100-6		Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA	CJ
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	LITE ON OPTOELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	UTC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC	21 536	2.55
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DC COMPONENTS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NXP
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	MCC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	STMicroelectronics
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ONS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES INC.	16
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIRCHILD	48
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц		44 840	1.54  >100 шт.   0.77
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	PANJIT
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KLS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	HOTTECH	424	1.96  >100 шт.   0.98
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	SEMTECH
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	YJ	16 508	1.07
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JSCJ	27 224	1.80  >100 шт.   0.90
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ASEMI	7 660	1.38  >100 шт.   0.69
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KEEN SIDE	7 722	1.88  >100 шт.   0.94
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"