Версия для печати
Технические характеристики ICE1HS01G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	50 ~ 128kHz
Напряжение входное	10.2 V ~ 20.5 V
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	PG-DSO-8

ICE1HS01G datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZV55-C24			PHILIPS
		BZV55-C24			NXP
		BZV55-C24			DC COMPONENTS
		BZV55-C24			NXP
		BZV55-C24			PHILIPS	3 944
		BZV55-C24			PHI
		BZV55-C24			HOTTECH	4 000	617.64
		BZV55-C24			KEEN SIDE	25 256	1.26  >500 шт.   0.42
		FA5591N			FUJ
		FA5591N
		FA5591N			1
		FA5591N			4-7 НЕДЕЛЬ	301
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...			520.00
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	STMicroelectronics
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6599D		Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ...	4-7 НЕДЕЛЬ	721
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W			552.00
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	Infineon Technologies
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	КИТАЙ
		SPP11N60C3		Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W	INFINEON TECH
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5			ERSA
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5					488.00
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 1.5			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"