|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный |  | 22 | 22.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный | Texas Instruments | 3 520 | 17.56 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный | TEXAS INSTR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный | TEXAS INSTRUMENTS | 32 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный | TEXAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | SN74HC164D |   | Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный | 4-7 НЕДЕЛЬ | 220 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 2 892 | 1.68 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) |  | 90 384 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY | 485 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP | 3 888 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | Diodes Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DI |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DC COMPONENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIODES |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | DIOTEC | 15 312 | 2.31 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | INFINEON | 102 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | LRC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | HOTTECH | 40 921 | 1.36 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | PANJIT |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMTECH | 11 | 2.78 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | WUXI XUYANG | 52 | 2.46 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | SEMICRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KOME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YANGJIE (YJ) |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | JSCJ | 12 064 | 1.08 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | YJ | 246 964 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | XXW | 55 678 | 1.17 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | CJ | 7 720 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | KEEN SIDE | 464 | 1.04 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BAV199 |   | 2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C) | MERRYELC | 68 | 1.05 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NXP Semiconductors |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NEX |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  |  |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NXP/NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NEX-NXP | 60 | 3.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857B,215 |   |  | NEXPERIA | 3 174 | 1.83 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | DC COMPONENTS | 43 959 | 1.48 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | CHIN |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | CHINA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | DIOTEC | 2 299 | 1.82 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | GALAXY |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | NXP | 3 046 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | PHILIPS | 2 130 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | PHILIPS SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | INFINEON TECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | DIODES INC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | KINGTRON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) |  | 109 557 | 1.36 >100 шт.   0.68
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | GALAXY ME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | HOTTECH | 5 908 | 1.34 >100 шт.   0.67
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | LRC | 1 920 | 2.07 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | KOME | 10 | 1.63 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | SUNTAN | 62 425 | 1.44 >500 шт.   0.48
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | SEMTECH | 36 637 | 2.82 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | YJ | 266 847 | 1.74 >100 шт.   0.87
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | RUME |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | TRR ELECTRONICS | 312 | 1.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | NEXPERIA | 35 380 | 1.28 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO | 16 | 1.94 >100 шт.   0.97
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | XXW | 19 552 | 1.44 >100 шт.   0.72
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | CTK | 2 188 | 1.82 >100 шт.   0.91
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | KEEN SIDE | 37 092 | 1.38 >500 шт.   0.46
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | BC857C |   | Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | MERRYELC | 190 288 | 1.08 >100 шт.   0.54
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | OP777ARZ |   | Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ... | ANALOG DEVICES | 671 | 315.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | OP777ARZ |   | Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ... | ANALOG |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | OP777ARZ |   | Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ... | Analog Devices Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | OP777ARZ |   | Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ... |  |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | OP777ARZ |   | Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 235 |   |  |