IRFB4110PBF
Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4110PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603-NPO-50V- 1.0NF (1000PF) 5% 0603N102J500CT | WALSIN |
|
|
|||||
| 0603-X5R-50V- 1.0UF 20% 0603X105M500NT | FENGHUA |
|
|
|||||
| 1206-X7R-100V- 2.2UF 10% CS3216X7R225K101NRI | SAMWHA |
|
|
|||||
| 1206-X7R-2000V- 1000PF 10% 1206B102K202CT | WALSIN |
|
|
|||||
| TECAP 22/16V B 20 (TCSCS1C226MBAR) | SAMSUNG | 573 | 10.60 |
