IRFL024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TWN |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TY | 3 902 |
1.86 >100 шт. 0.93 |
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4978 |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4878 |
|
|
|||||
| 0603 4.7UF 35V X5R 10% GRM188R6YA475KE15D | MUR |
|
|
|||||
| 0603CG200J500NT | FENGHUA |
|
|
|||||
| 0603CG200J500NT | FNR | 70 645 |
0.85 >1000 шт. 0.17 |
|||||
| B82472G6103M000 | EPCOS |
|
|
|||||
| B82472G6103M000 | TDK-EPC |
|
|
|||||
| B82472G6103M000 |
|
|
||||||
| B82472G6103M000 | TDK | 2 040 | 92.11 | |||||
| IHLP6767GZER100M01 (10UH 16,5A) |
|
|
