IRFL024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TWN |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TY |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4978 | 80 | 1.05 | |||||
| 0603B103K500NT | WALSIN TECHNOLOGIES |
|
|
|||||
| 0603B103K500NT | HITANO | 156 240 | 12.89 | |||||
| 0603B103K500NT | FENGHUA | 332 800 |
0.80 >1000 шт. 0.16 |
|||||
| 0603B103K500NT | FNR | 180 425 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
| 0603B103K500NT |
|
|
||||||
| 0603CG200J500NT | FENGHUA | 12 800 |
0.75 >500 шт. 0.25 |
|||||
| 0603CG200J500NT | FNR | 79 234 |
0.80 >1000 шт. 0.16 |
|||||
| BLM18PG221SN1D |
|
6.00 | ||||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MUR | 103 703 |
1.26 >500 шт. 0.42 |
|||||
| BLM18PG221SN1D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA | 11 428 |
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA* |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | 23200 | 80 |
1.14 >500 шт. 0.38 |
|||||
| IHLP6767GZER100M01 (10UH 16,5A) | 80 |
|
