IRFL024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TWN |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | TY | 3 902 |
1.86 >100 шт. 0.93 |
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4978 |
|
|
|||||
| 0603 1UF 16V Y5V ±20% | 4878 |
|
|
|||||
| 0603B103K500NT | WALSIN TECHNOLOGIES |
|
|
|||||
| 0603B103K500NT | HITANO | 63 440 | 14.59 | |||||
| 0603B103K500NT | FENGHUA | 128 000 |
0.63 >500 шт. 0.21 |
|||||
| 0603B103K500NT | FNR | 170 109 |
1.42 >100 шт. 0.71 |
|||||
| 0603B103K500NT |
|
|
||||||
| 0603CG200J500NT | FENGHUA | 25 600 |
0.63 >500 шт. 0.21 |
|||||
| 0603CG200J500NT | FNR | 64 002 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| BLM18PG221SN1D |
|
6.00 | ||||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MUR | 63 887 |
1.48 >100 шт. 0.74 |
|||||
| BLM18PG221SN1D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA | 11 428 |
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | MURATA* |
|
|
|||||
| BLM18PG221SN1D | 23200 |
|
|
|||||
| IHLP6767GZER100M01 (10UH 16,5A) |
|
|
