IRFL024NTRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 150МКФ 400В 105° HE (25X35) КОНДЕНСАТОР SAMWHA HE2G157M25035HA |
|
|
||||||
| LMV321ILT | ST MICROELECTRONICS | 23 956 | 21.42 | |||||
| LMV321ILT | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LMV321ILT |
|
|
||||||
| LMV321ILT | ST MICROELECTRONICS SEMI | 228 |
|
|||||
| LMV321ILT | TECH PUB | 10 041 | 7.37 | |||||
| LMV321ILT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 208 |
|
|||||
 |
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 40 | 14.50 | ||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | 9 064 | 4.83 | |||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS | 24 350 | 8.13 | ||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | YOUTAI | 47 140 | 3.98 | ||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G3157DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 169 |
|
||||
| К294КН1ВТ |
|
|
||||||
| К294КН1ВТ | СИНТЭК |
|
|
|||||
| К294КН4ВР | 4 741 | 51.80 | ||||||
| К294КН4ВР | 4 741 | 51.80 |
