AOD409
|
MOSFET P-CH -60V -26A TO-252 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3600pF @ 30V |
| Power - Max | 60W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| P5504EDG | NIKO |
|
|
|||||
| P5504EDG |
|
|
||||||
| P5504EDG | NIKO-SEM |
|
|
|||||
| RT6365GSP | RICH |
|
|
|||||
| RT6365GSP |
|
|
||||||
| RT6365GSP | RICHTEK |
|
|
|||||
| RT6365GSP | 4-7 НЕДЕЛЬ | 225 |
|
|||||
 |
 |
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор |
|
|
||
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор |
|
|
||
|
|
|
STN3PF06 |
|
Транзистор | ST MICROELECTRO |
|
|
|
 |
|
TPS40200DRBT |
|
Texas Instruments | 3 053 | 96.56 | ||
|
|
|
TPS40200DRBT |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
TPS40200DRBT |
|
|
|
|||
|
|
|
TPS40200DRBT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 680 |
|
